5SHY6545L0001 AC10272001R0101 5SXE10-0181 ABB 可控硅晶體模塊

　　品牌：ABB

　　型號：5SHY6545L0001 AC10272001R0101 5SXE10-0181

　　產(chǎn)品描述

　　IGCT使變流裝置在功率、可靠性、開關(guān)速度、效率、成本、重量和體積等方面都取得了進(jìn)展，給電力電子成套裝置帶來了新的飛K躍。IGCT是將

　　GTO芯片與反并聯(lián)二_極管和柵極驅(qū)動電路集成在-起，再與其柵極驅(qū)動器在外圍以低電感方式連接,結(jié)合了晶體管的穩(wěn)定關(guān)斷能力和晶閘管低通態(tài)

　　損耗的優(yōu)點，在導(dǎo)通階段發(fā)揮晶閘管的性能，關(guān)斷階段呈現(xiàn)晶體管的特性。IGCT具有電流大、電壓高、開關(guān)頻率高、可靠性高、結(jié)構(gòu)緊湊、損耗低

　　等特點，而且造成本低，成品率高，有很好的應(yīng)用前景。采用晶閘管技術(shù)的GTO是常用的大功率開關(guān)器件，它相對于采用晶體管技術(shù)的IGBT在截止

　　電壓上有更高的性能，但廣泛應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)GTO驅(qū)動技術(shù)造成不均勻的開通和關(guān)斷過程，需要高成本的dv/dt和di/dt吸收電路和較大功率的柵極驅(qū)動

　　單元，因而造成可靠性下降，價格較高，也不利于串聯(lián)。但是，在大功率MCT技術(shù)尚未成熟以前，IGCT已經(jīng)成為高壓大功率低頻交流器的優(yōu)選方案。

　　IGCT與GTO相似，也是四層三端器件,GCT內(nèi)部由成千個GCT組成，陽極和]極共用，而陰極并聯(lián)在-起。與GTO有重要差別的是IGCT陽極內(nèi)側(cè)多

　　了緩沖層，以透明(可穿透)陽極代替GTO的短路陽極。導(dǎo)通機理與GTO完全-樣，但關(guān)斷機理與GTO完全不同，在IGCT的關(guān)斷過程中，GCT能瞬

　　間從導(dǎo)通轉(zhuǎn)到阻斷狀態(tài)，變成一個pnp晶體管以后再關(guān)斷，所以它無外加du/dt限制;而GTO經(jīng)過一個既非導(dǎo)通又非關(guān)斷的中間不穩(wěn)定狀態(tài)進(jìn)行

　　轉(zhuǎn)換(即”GTO區(qū)”)，所以GTO需要很大的吸收電路來抑制重加電壓的變化率du/dt。阻斷狀態(tài)下IGCT的等效電路可認(rèn)為是一個基極開路、低增益pnp晶體管與柵極電源的串聯(lián)。