AC10272001R0101 5SXE10-0181 5SHY35L4520 ABB IGCT模塊

　　型號(hào)：AC10272001R0101 5SXE10-0181 5SHY35L4520

　　品牌：ABB

　　產(chǎn)品產(chǎn)地：美國(guó)

　　產(chǎn)品凈深:439 mm

　　產(chǎn)品凈高:41 mm

　　產(chǎn)品凈重:2.9 kg

　　產(chǎn)品凈寬:173 mm

　　產(chǎn)品描述

　　IGCT器件是從GTO演變而來(lái)的，主要從兩個(gè)方面改善了器件的性能:

　　(1)與半導(dǎo)體器件密切結(jié)合的門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)和硬驅(qū)動(dòng):

　　●低感門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路，高di/dt的門(mén)極硬驅(qū)動(dòng)

　　.門(mén)極的再觸發(fā)技術(shù)

　　(2)半導(dǎo)體器件生產(chǎn)過(guò)程、生產(chǎn)工藝及封裝結(jié)構(gòu)的改進(jìn):

　　●透明發(fā)射極技術(shù)

　　●電子、質(zhì)子輻照技術(shù)控制IGCT的性能參數(shù)

　　●門(mén)極低感封裝技術(shù)

　　IGCT的工作原理可以簡(jiǎn)單總結(jié)如下:

　　●高di/dt的硬驅(qū)動(dòng)開(kāi)通脈沖電流使阻斷狀態(tài)的IGCT在極短的時(shí)間內(nèi)從基

　　極開(kāi)路的晶體管狀態(tài)變成導(dǎo)通的晶閘管狀態(tài)，并實(shí)現(xiàn)硅芯片的均勻?qū)ā?/p>

　　●高di/dt的硬驅(qū)動(dòng)關(guān)斷電流脈沖使呈晶閘管導(dǎo)通狀態(tài)的IGCT在極短的時(shí)

　　間內(nèi)變成基極開(kāi)路的晶體管狀態(tài)，恢復(fù)到良好的阻斷狀態(tài)